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力晶科技


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3053769專


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3053769專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體結構的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/313.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 70,5454.其他應敘明事項:一種半導體結構的製造方法,包括以下步驟。提供包括多數個區塊的基底。各區塊分別包括交替排列的第一區以及第二區。於基底上形成多數個複合層。圖案化最頂層的複合層,以於基底的第一區上形成多數個複合塊。依序對區塊上的複合層以及複合塊進行移除製程,以於基底上形成階梯結構。
<摘錄公開資訊觀測站>