好股網快訊
EMail:
密碼:
記住email
有 問 必 答
姓名:*
電話:
行動:*
信箱:*
股名:
轉入出:  轉入   轉出 
價位:
張價:
標題:*
內容:*
認證:*
首頁 » 個股資訊  » 力晶科技 » 個股新聞
力晶科技


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3160475專


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3160475專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體閘極結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/233.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 84,1544.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法,包含:首先提供一基底,再依序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底,然後在第一導電層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠,之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋 第二絕緣層,其中第二導電層填滿第一溝渠,接續形成複數個圖案化遮罩層,接著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子,最後以圖案化遮罩層與側壁子為遮罩蝕刻第一導電層,直至第一絕緣層曝露出來,以形成一第一閘極結構和一第二閘極結構。
<摘錄公開資訊觀測站>