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力晶科技


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080648專


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080648專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 69,1234.其他應敘明事項:一種半導體元件及其製作方法。半導體元件的製作方法包括以下步驟。提供一基底,基底中已形成有多個溝槽,其中溝槽之間的基底上已依序配置有一氧化層、一矽基材料層以及一罩幕層。形成一介電層,以填入溝槽中並覆蓋罩幕層、矽基材料層、氧化層以及基底。對基底進行一退火製程,其中來自罩幕層的氫會與矽基材料層中的矽形成矽-氫鍵。
<摘錄公開資訊觀測站>