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力晶科技


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3093644專


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3093644專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/283.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 56,5974.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體的製造方法。於基底上依序形成複合層、第一導體層及第一頂蓋層。於基底中形成沿第一方向延伸的多個元件隔離結構,上述元件隔離結構的表面位於第一頂蓋層與基底之間。對第一頂蓋層、第一導體層、複合層以及基底進行圖案化,以於基底中形成沿第二方向延伸的多個溝槽,其中第一方向與第二方向交錯。於溝槽中形成絕緣層及第二導體層,其中絕緣層環繞而包覆第二導體層。移除第一頂蓋層,並在暴露出的絕緣層之兩側分別形成第二頂蓋層。以第二頂蓋層為罩幕,圖案化第一導體層以及複合層,以使第一導體層形成為控制閘極。
<摘錄公開資訊觀測站>