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力晶科技


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專


公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/263.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,9844.其他應敘明事項:一種浮置閘極的製造方法,包括下列步驟。提供具有多個隔離結構的基底,隔離結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧牲層。移除部份犧牲層,而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲層為罩幕,移除部份第一導體層,以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除犧牲層。於基底上形成第二導體層,第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化第二導體層與導體結構,以形成浮置閘極。
<摘錄公開資訊觀測站>