美光台中四廠 聚焦AI新應用

　美光（Micron）6日啟用台灣台中四廠，美光總裁暨執行長梅羅特 拉（Sanjay Mehrotra）親自來台主持開幕典禮，美光台中四廠的啟 用，將強化台灣美光DRAM卓越製造中心的地位，為AI世代及各式創新 應用揭開新篇章。　　據了解，Sanjay Mehrotra將偕同美光技術開發事業部資深副總裁 陳德拉斯卡蘭（Naga Chandrasekaran）、美光前段製造企業副總裁 暨台灣美光董事長盧東暉、美光先進封裝技術開發處副總裁辛赫（A kshay Singh）以及政府官員蒞臨盛會。　　美光成立45周年來，締造了無數創新科技，奠定其業界領導地位。 因應AI浪潮來襲，美光亦推出新一代高頻寬記憶體（HBM3E），賦能 未來AI應用，而台灣台中四廠將是美光深化在台承諾的實踐。　　台灣是美光DRAM卓越製造中心之一，多達65％DRAM在台灣生產，未 來台灣更將是最先進DRAM製造和先進封裝重鎮。　　美光目前正在打造下一世代1-gamma製程，採用極紫外光（EUV）製 程技術，計劃2025年上半年量產，1-gamma製程預期就會先在台中廠 量產。　　近期AI浪潮風起雲湧，HBM更在AI扮演重要角色，美光正積極擴大 HBM布局，先前宣布推出業界首款8層堆疊（8-High）24GB的HBM3 Ge n 2產品，已開始送樣，計畫2024年第一季放量出貨。　　TrendForce指出，HBM是高階AI晶片上搭載的記憶體，屬於DRAM中 的一個類別，主要由三大供應商三星（Samsung）、SK海力士（SK h ynix）與美光供應。　　隨著AI熱潮帶動晶片需求，對HBM需求量在2023年與2024年隨之提 升，促使原廠紛紛加大HBM產能，展望2024年，HBM供給情況可望大幅 改善。　　而以規格而言，伴隨AI晶片需要更高效能，HBM主流也將在2024年 移轉至HBM3與HBM3e。　　整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價格高於前 代產品的情形下，2024年HBM營收可望有顯著的成長。