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未上市新聞
暉盛科技 引領電漿製程技術新主流

國內電漿設備指標廠之一的暉盛科技,近幾年,挾優越電漿技術開發能力,不僅成功打進美系半導體大廠供應鏈,並取得國際通訊大廠合作機會,且在晶圓代工廠對於晶圓級封裝、IC載版封裝、micro Led需求帶動下,非等向性之高密度反應式離子蝕刻電漿(ICP-RIE)詢問度大幅提高,也讓暉盛科技成為半導體前段製程不可或缺的夥伴,不僅訂單放量成長,輔以歐洲及亞太地區訂單加成,整體營收再創新高。暉盛科技表示,在半導體先進封裝製程下,業界對於重度蝕刻需求攀升,尤其以非等向性之高密度反應式離子蝕刻電漿(ICP-RIE)詢問度最為明顯,該設備具有高密度電漿源與反應性離子蝕刻雙重特性,蝕刻均勻度達90%以上,可用於金屬、介電質、低介電材料之蝕刻,可客製化處理面積,最大可達660X660mm,勘稱業界最大規格。隨著5G、AI、高效能運算、物聯網、新能源車╱自駕車等新興應用,IC封裝需求亦隨之成長,對於電漿設備的要求,不僅是單純處理有機材料,如Epoxy、LCP、Polyimide、PTFE、Solder Mask ╱ Dry Film等活化與粗化,未來可直接進行基板及鍍層材料的乾蝕刻加工,不論是藉由具高濃度自由基、無離子轟擊的大氣式微波電漿噴頭(Microwave Atmospheric Plasma Jet)移除金屬氧化物,或是採用非等向性之高密度反應式離子蝕刻電漿(ICP-RIE),去除包括鈦、鋁等金屬、矽、光阻、各種介層填充材(Filler)等應用,暉盛科技都有可對應的解決方案。在綠能永續議題上,暉盛也利用自身電漿技術基礎,推出微波火炬電漿(Microwave Torch)技術,無電極式微波電漿可適用各型反應物(氧化性、還原性、惰性),能將PFC、N2O、VOCs等有害氣體無害化,亦可應用於碳氫化合物之轉化及脫碳,產出無碳或低碳燃料。暉盛科技指出,安規上不僅獲取TUV認證,在機械設計及電控設計,亦符合IEC及SEMI等規範,連續式設計可串接上下游,支援標準介面及通訊協議,符合智慧製造的工業4.0未來,將成下一波電漿製程設備的主流。